カーブトレーシング機能を備えた高度な半導体分析装置-DCA75

Product Description

DCA Proは、グラフィックディスプレイ、USB通信、PCソフトウェア、強化されたコンポーネント識別ライブラリを備えた先進的な新設計を採用しています。 ・スタンドアロンまたは PC で使用可能 ・自動コンポーネント タイプ識別 ・自動ピン配置識別 ・保護ダイオードや抵抗シャントなどの特殊機能識別 ・バイポーラ トランジスタ: ゲインとリーク電流の測定、シリコンとゲルマニウムの検出 ・エンハンスメント モード MOSFET のゲートしきい値測定 ・ダイオード、LED、トランジスタのベース エミッタ接合の半導体順方向電圧測定 ・自動および手動電源オフ S/C への最大ピーク テスト電流： 12 mA O/S 間の最大ピーク テスト電圧： 12 V ダイオード仕様： 　テスト電流: 5.0 mA 　電圧精度: -2% -20 mV ～ +2% +20 mV 　LED 識別用 Vf: 1.50 V ～ 4.00 V 　短絡しきい値: 10Ω SCR/トライアック仕様： 　ゲート テスト電流: 4.5 mA 　負荷テスト電流: 5.0 mA トランジスタ仕様： 　ゲイン範囲 (Hfe): 4 ～ 65000 　ゲイン精度: +/- 3 % +/- 5 Hfe 　Vceo テスト電圧: 2.0 V ～ 3.0 V 　Vbe 精度: -2 % -20 mV ～ +2 % +20 mV 　ダーリントン (シャント) 用 VBE: 0.95 V ～ 1.80 V (0.75 V - 1.80 V) 　ベース-エミッタ シャントしきい値: 50 kΩ - 70 kΩ 　BJT コレクタ テスト電流: 2.45 mA - 2.55 mA 　BJT 許容リーク: 0.7 mA MOSFET: 　ゲートしきい値範囲: 0.1 V - 5.0 V 　しきい値精度: -2 % -20 mV ～ +2 % +20 mV 　ドレイン テスト電流: 2.45 mA - 2.55 mA 　ゲート抵抗: 8 kΩ 　デプレッション ドレイン テスト電流: 4.5 mA 　JFET ドレイン-ソース テスト電流: 0.5 mA - 5.5 mA 寸法：約103x70x20mm 重量：約98g PEAK